RJP30H2A IGBT-Транзистор, N-канал, 360В, 35A, TO-263
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
Функциональная схема:
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Габариты | 10x15x5 мм |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 360 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 35 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Пороговое напряжение на затворе, В | 30 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-263 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 308 ₸