RJP3047 IGBT-Транзистор, N-канал, 330В, 50A, TO-3P
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Габариты | 40х16х5 мм |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 330 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.5 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 75 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 385 ₸