Биполярный транзистор MJD3055G, NPN, 10A, 60V, 20W
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Данный биполярный транзистор MJD3055G предназначен для усилителей общего назначения и низкоскоростных коммутационных систем.
Биполярный транзистор — это трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками
Спецификация:
- Структура: NPN;
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В;
- Напряжение коллектор-база, не более: 70 В;
- Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V;
- Ток коллектора, не более: 10 А;
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт;
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 100;
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц;
- Корпус: TO-252.
Функциональная схема:
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 2 МГц |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 70 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 60 В |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 10 A |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 20 Вт |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 20 |
| Структура транзистора | NPN |
| Тип корпуса | TO-252 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
- Цена: 143 ₸