FGA60N65SMD, биполярный транзистор IGBT, 650В, 120А, 600Вт
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Биполярный транзистор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название биполярный.
Спецификация:
- Наименование: FGA60N65SMD;
- Тип управляющего канала: N-Channel;
- Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W;
- Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V;
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V;
- Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 A;
- Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A;
- Максимальная температура перехода: 175°C;
- Время нарастания: 47 nc;
- Емкость коллектор: 270 pF;
- Рабочая температура: от -55°C до +175°C;
- Корпус: TO-3PN.
Структурная схема:
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 650 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 120 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 600 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 1 205 ₸