Продавец Радиодетали и робототехника в Казахстане "RadioMart" развивает свой бизнес на Satu.kz 10 лет.
Знак PRO означает, что продавец пользуется одним из платных пакетов услуг Satu.kz с расширенными функциональными возможностями.
Сравнить возможности действующих пакетов
Начать продавать на Satu.kz 50 отзывов
Интернет-магазин радиодеталей RadioMart.kz
+7 (778) 688-28-82
+7 (708) 972-18-84
SKiip 24NAB126V10 IGBT силовой модуль, фото 2

SKiip 24NAB126V10 IGBT силовой модуль

Описание
Характеристики
Информация для заказа
Купить на сайте RadioMart.org

IGBT-модули – силовые устройства, в основе которых лежат IGBT-транзисторы. Данные модули широко используются в преобразовательной технике.

Срок поставки 35-45 дней.


Современные IGBT силовые модули находят широкое применение при создании неуправляемых и управляемых выпрямителей, автономных инверторов для питания электроприводов постоянного и переменного тока средней мощности, преобразователей индукционного нагрева, сварочных аппаратов, источников питания и бытовой техники. Особую роль IGBT силовые модули играют в развитии городского и железнодорожного электротранспорта. Применение этих перспективных приборов в тяговом преобразователе позволяет повышать частоту переключения, упрощать схему управления, минимизировать загрузку сети гармониками и обеспечивать предельно низкие потери в обмотках трансформатора и дросселей.

Особенность:

  • Быстрая траншея IGBT;
  • Возможность прочной установки диодов свободного хода по технологии CAL;
  • Высоконадежные пружинные контакты для электрических соединений;
  • E63532.

Спецификация:

  • Внутренняя схема: NAB;
  • Кол-во ключей в модуле: 7;
  • Количество пинов: 26;
  • Напряжение эмиттер-коллектора: 1200V;
  • Рабочий ток при 25°C: 35A;
  • Инвертор до: 19 kVA;
  • Номинальная мощность двигателя: 11 kW;
  • Сопротивление: 26 Om;
  • Рабочая температура: от -40°C до +150°C;
  • Технология кристалла: IGBT 3(Trench);
  • Корпус: MiniSKiiP II 2.

Схема подключения:

Габариты:

  • Длинна: 59 мм;
  • Высота: 24 мм;
  • Ширина: 52 мм.

Пользовательские характеристики
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1200 В
Наличие встроенного диодаНет
Рабочая температура, °Cот -40°C до +150°C
Структура транзистораIGBT
Тип корпусаMiniSKiiP II 2
Тип продукцииIGBT модуль
  • Цена: 45 353 ₸