KDG20N120H IGBT транзистор, TO-247...1200V
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGBT транзистор KDG20N120H обеспечивает низкие потери проводимости и переключения, а так же обладает хорошей энергоэффективностью. Имеет решения для использования в области управления индукционных нагревателей, преобразований общего назначения и для источников бесперебойного питания (ИБП).
IGBT транзистор представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами.
Спецификация:
- Напряжение коллектор-эмиттер: 1200V;
- Ток коллектора : 20A;
- Импульсный ток коллектора: 190A;
- Максимальная рассеиваемая мощность при 25°C: 192W;
- Рабочая температура: от -55°C до 150°C;
- Тип корпуса: TO-247.
Подключение:
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 40 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 192 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 1 155 ₸