Продавец Радиодетали и робототехника в Казахстане "RadioMart" развивает свой бизнес на Satu.kz 10 лет.
Знак PRO означает, что продавец пользуется одним из платных пакетов услуг Satu.kz с расширенными функциональными возможностями.
Сравнить возможности действующих пакетов
Начать продавать на Satu.kz 50 отзывов
Интернет-магазин радиодеталей RadioMart.kz
+7 (778) 688-28-82
+7 (708) 972-18-84
FGH40T100SMD IGBT транзистор TO-247, фото 2

FGH40T100SMD IGBT транзистор TO-247

Описание
Характеристики
Информация для заказа
Купить на сайте RadioMart.org

FGH40T100SMD IGBT ON (FS) предлагает оптимальную производительность с низкими потерями на проводимость и переключение. Эти IGBT обладают высокой работоспособностью, а так же положительным температурным коэффициентом, узким распределением параметров и широкой безопасной рабочей областью.


Поставляется с повышенным пробивным напряжением, что увеличивает надежность в местах с отрицательной температурой окружающей среды. По мере снижения температуры также снижается напряжение блокировки IGBT и FRD, что делает устройство особенно полезными для фотоэлектрических солнечных инверторов, используемых в холодном климате. Эти IGBT обеспечивают быстрое и плавное восстановление, которое уменьшает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и отключении.

Отличительные особенности:

Оптимизирован для применения в схемам с высокой частотой переключения:

  • Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.8 В при номинальном токе коллектора IC
  • Высокая скорость переключения: малый остаточный заряд в закрытом состоянии EOFF = 27 мкДж/А
  • Встроенный шунтирующий диод, рассчитанный на высокое быстродействие


Разработан для обеспечения высокой надёжности приложений:

  • Широкая зона безопасной работы (SOA)
  • Способность работать на чисто индуктивную нагрузку (тестировался при 4-х кратном превышении номинального тока коллектора)
  • Максимальная температура перехода: +175 ˚C
  • Возможность параллельной работы нескольких транзисторов (положительный температурный коэффициент)
  • Высокое входное сопротивление
  • Соответствует требованиям директивы RoHS


Область применения:

  • Солнечные инверторы
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Сварочные аппараты
  • Высоковольтное/сильноточное медицинское оборудование
  • Стабилизаторы источников питания

Блок-схема:

Пользовательские характеристики
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1000 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А80 A
Наличие встроенного диодаНет
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +175°C
Рассеиваемая мощность, Вт333 Вт
Структура транзистораN-канал
Тип корпусаTO-247
Тип подключенияКонтакты для пайки
Тип продукцииIGBT транзистор
Управляющее напряжение, В20 В
  • Цена: 1 810