FGH40T100SMD IGBT транзистор TO-247
FGH40T100SMD IGBT ON (FS) предлагает оптимальную производительность с низкими потерями на проводимость и переключение. Эти IGBT обладают высокой работоспособностью, а так же положительным температурным коэффициентом, узким распределением параметров и широкой безопасной рабочей областью.
Поставляется с повышенным пробивным напряжением, что увеличивает надежность в местах с отрицательной температурой окружающей среды. По мере снижения температуры также снижается напряжение блокировки IGBT и FRD, что делает устройство особенно полезными для фотоэлектрических солнечных инверторов, используемых в холодном климате. Эти IGBT обеспечивают быстрое и плавное восстановление, которое уменьшает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и отключении.
Отличительные особенности:
Оптимизирован для применения в схемам с высокой частотой переключения:
- Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.8 В при номинальном токе коллектора IC
- Высокая скорость переключения: малый остаточный заряд в закрытом состоянии EOFF = 27 мкДж/А
- Встроенный шунтирующий диод, рассчитанный на высокое быстродействие
Разработан для обеспечения высокой надёжности приложений:
- Широкая зона безопасной работы (SOA)
- Способность работать на чисто индуктивную нагрузку (тестировался при 4-х кратном превышении номинального тока коллектора)
- Максимальная температура перехода: +175 ˚C
- Возможность параллельной работы нескольких транзисторов (положительный температурный коэффициент)
- Высокое входное сопротивление
- Соответствует требованиям директивы RoHS
Область применения:
- Солнечные инверторы
- Источники бесперебойного питания (UPS)
- Сварочные аппараты
- Высоковольтное/сильноточное медицинское оборудование
- Стабилизаторы источников питания
Блок-схема:
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1000 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 80 A |
Наличие встроенного диода | Нет |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 333 Вт |
Структура транзистора | N-канал |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | IGBT транзистор |
Управляющее напряжение, В | 20 В |
- Цена: 1 810 ₸