Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 650 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 80 A |
Наличие встроенного диода | Нет |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
Рабочая температура, °C | +175°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 238 Вт |
Структура транзистора | N-канал |
Тип корпуса | TO-3PN |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 1 408 ₸