30F123 Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
GT30F123 - Силовой IGBT транзистор, N-Канал, 300V, 30A, TO-220FP
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 300 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 30 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 25 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220FP |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 253 ₸