IRG4BC20KD-S Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRG4BC20KD-S - IGBT Транзистор с N каналом
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 16 А |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | D2PAK |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 913 ₸