PHD78NQ03LT N-канальный полевой транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами, на один из которых подаётся сильный ток, а на другой подаётся слабый управляющий ток.
Спецификация:
- Наименование прибора: PHD78NQ03LT;
- Тип транзистора: MOSFET;
- Полярность: N;
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W;
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V;
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V;
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V;
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A;
- Максимальная температура канала (Tj): 175 °C;
- Время нарастания (tr): 46 ns;
- Выходная емкость (Cd): 415 pf;
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm;
- Тип корпуса: DPAK.
Подключение:
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 75 А |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 25 В |
| Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 2 В |
| Рабочая температура, °C | +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 107 Вт |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.009 Ом |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | DPAK |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | Полевой транзистор |
- Цена: 352 ₸