FQT7N10L мощный полевой МОП-транзистор, N-канальный
Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.
Этот мощный МОП-транзистор с усилением N-каналов производится с использованием запатентованной планарной полосы Fairchild Semiconductor и технологии DMOS. Эта передовая технология MOSFET была специально разработана для уменьшения сопротивления в открытом состоянии, а также для обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня лавинной энергии. Эти устройства подходят для импульсных источников питания, аудиоусилителя, управления двигателем постоянного тока и приложений с переменным импульсным питанием.
Применение:
- LED телевизор;
- Бытовая техника;
- Осветительные приборы.
Спецификация:
- Конфигурация и полярность: N;
- Максимальное напряжение сток-исток: 100V;
- Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 1.7A;
- Сопротивление открытого канала (мин): 0.35Om;
- Диапазон номинальных напряжений затвора: 4.5-10V;
- Заряд затвора: 46нКл;
- Рабочая температура: от -55°С до +150°С.
Схема:
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Крутизна характеристики, S | 2.75 S |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 1.7 А |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 100 В |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 2 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 2 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.35 Ом |
Структура транзистора | N-канал |
Тип корпуса | SOT-223 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | Полевой транзистор |
- Цена: 319 ₸