G75H603 IGBT Транзистор TO-247
Описание
Характеристики
Информация для заказа
G75H603 IGBT транзистор 600 V, 140 A, TO-247. Аналог IGW75N60H3
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 140 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 В |
| Рабочая температура, °C | от -40°C до +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 428 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 1 914 ₸