SGW25N120 IGBT транзистор TO247
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGW25N120 IGBT транзистор 1200В, 46А,0 TO247
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 46 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.7 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 313 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 836 ₸