FP50R12KT3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
Товар по предзаказу. Срок поставки 3-5 недель
Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Продукт: IGBT Silicon Modules
Конфигурация: Hex
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Максимальная рабочая температура: + 125 C
Высота: 17 mm
Длина: 122 mm
Ширина: 62 mm
Вид монтажа: Screw
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V
Другие названия товара №: FP50R12KT3BOSA1 SP000100445
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 75 А |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Рабочая температура, °C | от -40°C до +125°C |
| Структура транзистора | IGBT |
| Тип подключения | винтами, коннекторы FASTON |
| Тип продукции | IGBT модуль |
- Цена: 51 260 ₸