STP55NF06 MOSFET
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 60 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 50 A |
| Пороговое напряжение на затворе, В | 4 В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 22 мОм |
- Цена: 396 ₸