FGA25N120 Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGA25N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 90 А |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 312 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 605 ₸