IRF530N MOSFET
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF530N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Крутизна характеристики, S | 12 S |
| Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 17 А |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 100 В |
| Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4 В |
| Рабочая температура, °C | +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 70 Вт |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.09 Ом |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | Полевой транзистор |
- Цена: 264 ₸