IRF740 Полевой транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Крутизна характеристики, S | 8.9 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 400 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 10 A |
| Пороговое напряжение на затворе, В | От 2 до 4 В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 550 мОм |
- Цена: 281 ₸