FGA20N120 Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGA20N120 - биполярный транзистор с изолированным затвором
Данный товар поставлен не напрямую с завода изготовителя и возможно эксплуатировался. Однако является полностью работоспособным.
Предельно допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce) - 1200В
Максимальный ток коллектора транзистора (Ic) при 100 °C. - 20А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uce) - 1.6В
Максимальная мощность (Pd) при 100 °C. - 120Вт
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 40 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 298 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-3PN |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 693 ₸