Транзистор F4-50R12KS4 MODULE
Описание
Характеристики
Информация для заказа
F4-50R12KS4 - IGBT. N-Channel, 1200В, 50А, MODULE
Время нарастания: 50
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 В |
| Рабочая температура, °C | +125°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 355 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Управляющее напряжение, В | 20 В |
- Цена: 50 149 ₸