NGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В TO-247
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.65 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 223 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 1 474 ₸