12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 54 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 167 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220AB |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 979 ₸