H20R1203 Транзистор 1200V 40A
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 40 A |
Наличие встроенного диода | Да |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.48 В |
Рабочая температура, °C | +175°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 310 Вт |
Структура транзистора | N-канал |
Тип корпуса | TO-247-3 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 550 ₸