NGD8201A Транзистор N-канал
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 15 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 440 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 20 A |
Наличие встроенного диода | Да |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.3 В |
Рабочая температура, °C | +175°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 125 Вт |
Структура транзистора | N-канал |
Тип корпуса | TO-252 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 715 ₸