MJ11015, транзистор биполярный
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Биполярный транзистор MJ11015: 30 A, 120 V PNP
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30
Предельная температура PN-перехода (Tj), град: 200
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):
Ёмкость коллекторного перехода (Cc), пФ:
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
Корпус транзистора: TO3
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц | 4 МГц |
| Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 120 В |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 120 В |
| Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
| Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 30 A |
| Рабочая температура, °C | +200°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 200 Вт |
| Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 2000 |
| Структура транзистора | PNP |
| Тип корпуса | TO-3 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | Биполярный транзистор |
- Цена: 704 ₸