KHB7D0N65F1 MOSFET
Описание
Характеристики
Информация для заказа
KHB7D0N65F1 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 7 А |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 30 В |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 650 В |
| Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 52 Вт |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 1.2 Ом |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | Полевой транзистор |
- Цена: 1 012 ₸