G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V), N- канала, в корпусе TO-247AC
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 45 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 200 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Управляющее напряжение, В | От 3 до 6 В |
- Цена: 1 320 ₸