GT30G122, IGBT Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 400 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 30 A |
Наличие встроенного диода | Нет |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 25 Вт |
Структура транзистора | N-канал |
Тип корпуса | TO-220F |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 495 ₸