GT30J124, IGBT Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 200 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 26 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-220S |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 495 ₸