2SD798 Биполярный транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Пользовательские характеристики | |
---|---|
Допустимое напряжение коллектор-базы транзистора до повреждения (Vcbo), В | 600 В |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 300 В |
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Vebo), В | 5 В |
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А | 6 A |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Рассеиваемая мощность, Вт | 30 Вт |
Статический коэффициент передачи тока (hfe) | 3000 |
Структура транзистора | NPN |
Тип корпуса | TO-220 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Тип продукции | Биполярный транзистор |
- Цена: 594 ₸