GT25Q101, Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
GT25Q101 - Биполярный транзистор с изолированным затвором
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 25 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 4 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 200 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-264 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Управляющее напряжение, В | 6 В |
- Цена: 1 628 ₸