K30H603 Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
K30H603 (=IKW30N60H3) Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT - полностью управляемый полупроводниковый прибор, в основе которого трёхслойная структура. Его включение и выключение осуществляются подачей и снятием положительного напряжения между затвором и истоком
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 60 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.95 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 187 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Управляющее напряжение, В | 2.4 В |
- Цена: 1 210 ₸