RJH60F7DPQ Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
RJH60F7DPQ - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в
импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 90 А |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.37 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 328 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247A |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Управляющее напряжение, В | 1.75 В |
- Цена: 3 135 ₸