FGH60N60SMD, Транзистор
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, TO-247
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 120 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 600 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 3 432 ₸