FGH40N60SMD, IGBT 600В 80А
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGH40N60SMD - Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ) (англ. IGBT от англ. Insulated-gate bipolar transistor) — трёхэлектродный силовой электронный прибор, используемый, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 80 A |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.9 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 349 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Управляющее напряжение, В | 6 В |
- Цена: 2 415 ₸