IGBT транзистор KDG15N120H, N-канальный, 1200V, 15A, TO-247
Описание
Характеристики
Информация для заказа
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Данный транзистор является аналогом: K15H1203, IKW15N120H3.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Габариты | 40x16x5 мм |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 30 A |
| Наличие встроенного диода | Нет |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 В |
| Рабочая температура, °C | от -40°C до +175°C |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 190 Вт |
| Структура транзистора | N-канал |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Тип продукции | IGBT транзистор |
- Цена: 825 ₸